10,0*10,5 mm2 Si-doped C-plane semiconductor rereestanding GaN ubstrato para Power evice

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Brand: Ali
SKU: 1600584842524

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Shanghai Ganova Electronic Information Co., Ltd.2 yrs

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Atributos clave

Otros atributos

Lugar del origen

China

Marca

GaNova

Número de Modelo

JDCD01-001-002

Tipo

GaN oblea

Item

GaN-FS-C-U-S10 GaN-FS-C-N-S10 GaN-FS-C-SI-S10

Dimensions

10 x 10.5 mm2

Thickness

350 ±25μm

Conduction Type

N-type N-type Semi-Insulating

Orientation

C plane (0001) off angle toward M-axis 0.35 ±0.15°

TTV

≤ 10μm

BOW

- 10μm ≤ BOW ≤ 10μm

Dislocation Density

From 1 x 10^5 to 3 x 10^6cm-² (calculated by CL)*

Macro Defect Density

0 cm-²

Useable Area

> 90% (edge exclusion)

Embalaje y entrega

Paquete

carton

Puerto

Shanghai

Descripciones de productos del proveedor

>= 6 piezas

EUR 206.27

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