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Led를 위한 사파이어 Epi 웨이퍼 반도체에 2 인치 N 유형 SSP Si-doped GaN

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주요 속성

기타 속성

원래 장소
China
유명 상표
GaNova
모델 번호
JDWY03-001-019
유형
GaN 웨이퍼
Item
GaN-T-C-N-C50
Dimensions
50.8 ± 0.2 mm
Thickness/Thickness STD
4.5 ± 0.5 μm / < 3%
Orientation
(1-100) 0 ± 0.2 °, 16 ± 1 mm
Conduction Type
N-type
*XRD FWHMs
(0002) < 300 arcsec,(10-12) < 400 arcsec
Orientation of Sapphire
C plane (0001) off angle toward M-axis 0.2 ± 0.1 °
Orientation Flat of Sapphire
(11-20) 0 ± 0.2 °, 16 ± 1 mm
Sapphire Polish
Single side polished (SSP) / Double side polished (DSP)
Useable Area
> 90% (edge and macro defects exclusion)

포장 및 배송

포장 세부정보
carton
항구
Shanghai

공급 능력

공급 능력
100000 개 per Month

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5 - 24 개
₩150,910
>= 25 개
₩143,923

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