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      Alta qualidade semicondutor 10*10 mm2 R-Grade Independente AlN Substrato

      Ainda sem avaliações
      Shanghai Ganova Electronic Information Co., Ltd.2 yrsCN
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      Principais atributos

      Outros atributos

      Lugar de origem
      China
      Marca
      GaNova
      Número do Modelo
      JDCD02-001-006
      Tipo
      AlN Substrate
      Item
      UTI-AIN-010B R-Grade
      Grade
      R-Grade
      Thickness
      400±50μm
      Package
      Vacuum packing in a class 10000 clean room environment

      Embalagem e entrega

      Embalagem
      Caixa

      Capacidade de fornecimento

      Capacidade de fornecimento
      100000 Peça/Peças per Month
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