Новый и оригинальный NPN транзистор для мощных этапов выхода AF 2N3055 биполярные транзисторы-BJT NPN переключение мощности

Пока нет отзывов

Shenzhen Walton Electronics Co., Ltd.

Многопрофильный поставщик10 yrs

CN

Основные характеристики

Базовая отраслевая спецификация

Модели

2N3055

Тип

Other

Наименование

ORIGINAL BRAND

Тип упаковки

Сквозное отверстие

Другие характеристики

Тип крепления

/

Описание

/

Происхождение товара

ORIGINAL BRAND

Тип корпуса

TO-3

d/c

14+

Применение

-

Тип Поставщика

От оригинального производителя

Доступные методы

Техническое описание

品名

2N3055

Коллектор тока (Ic) (макс)

15 A

Пробой излучателя коллектора напряжения (макс.)

60 V

Насыщенность Vce (Макс) @ Ib, Ic

-

Отсек коллектора тока (макс.)

-

Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce

-

Мощность макс

115 W

Частота-Переход

3 MHz

Рабочая Температура

- 65 C + 200 C

Способ Монтажа

Сквозное отверстие

Резистор-основание (R1)

-

Основание резистора-излучателя (R2)

-

Полевых транзисторов типа

-

Полевого транзистора характеристика

-

Слив в исходное напряжение (Vdss)

7 V

Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C

15 A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs

-

Входная емкость (СНПЧ) (Max) @ Vds

-

Частота

3 MHz

Номинальный ток (Ампер)

15 A

Коэффициент шума

-

Power-выходная мощность

-

Напряжение-номинальное

60V

Напряжение привода (Макс Rds вкл., мин Rds вкл.)

-

Vgs (макс)

-

Доступны IGBT

-

Конфигурация

Одиночный

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Входная емкость (Cies) @ Vce

-

Входной сигнал

-

NTC термистор

-

Пробой напряжения (V (BR) GSS)

-

Ток-слив (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

-

Ток слива (Id)-макс

-

Отключение напряжения (VGS off) @ Id

-

Сопротивление-RDS (ВКЛ)

-

Напряжение

60V

Напряжение-выход

60V

Смещение напряжения (Vt)

-

Ток-ворота для утечки анода (Igao)

-15A

Ток-долина (Iv)

15A

В настоящее время-Peak

15A

Применения

-

Part Number

2N3055

Package / Case

TOP3

Product Category

Bipolar Transistors - BJT

Transistor Polarity

NPN

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

Collector- Base Voltage VCBO

100 V

Emitter- Base Voltage VEBO

7 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

Factory Pack Quantity

100

Unit Weight

0.225789 oz

Упаковка и доставка

Подробности об упаковке

standard

Порт

shenzhen

Реализуемые товары:

Одно наименование товара

Размер одной упаковки:

1X1X1 см

Один вес брутто:

20.000 кг

Развернуть

Срок выполнения заказа

Количество (шт.)	1 - 100	> 100
Примерное время (в днях)	7	Подлежит согласованию

Все еще не приняли решение? Сначала получите образцы! Заказать образец

Образцы

Максимальный объем заказа: 2 шт.

Цена образца:

515,69 ₽/шт.

Изготовление на заказ

Индивидуализированная упаковка

Мин. заказ: 500

Эмблема на заказ

Мин. заказ: 500

Графические настройки

Мин. заказ: 500

Для получения более подробной информации об изготовлении по индивидуальному заказу, отправить сообщение поставщику

Описание товара от поставщика

2 - 9 шт.

515,69 ₽

10 - 99 шт.

206,28 ₽

>= 100 шт.

154,71 ₽

Количество

Транспортировка

Транспортные решения для выбранного количества в настоящее время недоступны

Всего товаров (0 вариантов 0 товаров)

$0.00

Общая стоимость доставки

$0.00

Подытог

$0.00

Все еще не приняли решение? Сначала получите образцы! Заказать образец

Образцы

Максимальный объем заказа: 2 шт.

Цена образца:

515,69 ₽/шт.

Преимущества для участников

Раздача трехдневных купонов: скидка до 80 USDБольше

Защита для этого товара

Безопасные платежи

Каждый ваш платеж на Alibaba.com защищен с помощью надежного SSL-шифрования и протоколов защиты данных PCI DSS

Политика возврата средств

Подайте заявку на возврат средств, если ваш заказ не был отправлен, утерян или были выявлены проблемы с поступившим товаром