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      (Composants électroniques Transistor 2X ) MMBT4401 MMBT4403 MMBT3904 MMBT3906 MMBT2222A MMBT2907A MMBT5551 MMBT5401 MMBT4401LT1G

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      Shenzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.2 yrsCN
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      Attributs clés

      Spécification de l'industrie de base.

      Numéro de Type
      MBT3906DW1T1G
      Type
      Transistor IGBT
      Marque nom
      original
      Type de paquet
      Montage en Surface

      Autres attributs

      Type de montage
      /
      Description
      /
      Point d'origine
      Guangdong, China
      Package/Boîte
      /
      Type
      JFET, Transistor de jonction bipolaire
      Température de fonctionnement
      /
      Série
      Norme
      d/c
      22 +
      Application
      Na
      Type de Fournisseur
      Autres
      Référence croisée
      /
      Médias Disponibles
      Autres
      品名
      /
      Collecteur de courant (Ic) (Max)
      /
      Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
      /
      Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
      /
      Courant-coupure de collecteur (Max)
      /
      Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      /
      Puissance Max
      /
      Fréquence-Transition
      /
      Résistance-socle (R1)
      /
      Résistance-socle émetteur (R2)
      /
      FET Type
      /
      FET Caractéristique
      /
      Vidange à la tension de la Source (Vdss)
      /
      Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
      /
      Rds sur (Max) @ Id, Vgs
      /
      Vgs (th) (Max) @ Id
      /
      Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
      /
      Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
      /
      Fréquence
      /
      Courant nominal (ampères)
      /
      Facteur de bruit
      /
      Alimentation-Sortie
      /
      Tension Nominale
      /
      Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
      /
      Vgs (Max)
      /
      Type IGBT
      /
      Configuration
      /
      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      /
      Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
      /
      Entrée
      /
      Thermistance NTC
      /
      Tension-panne (V (BR) GSS)
      /
      Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      /
      Vidange de courant (Id)-Max
      /
      Tension-coupure (VGS off) @ Id
      /
      Résistance-RDS (On)
      /
      Tension
      /
      Tension-Sortie
      /
      Tension-décalage (Vt)
      /
      Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
      /
      Courant-vallée (Iv)
      /
      Courant-Crête
      /
      Applications
      /
      Transistor Type
      Transistor de puissance mrf150 rf

      Emballage et livraison

      Détails d'emballage
      Emballage antistatique
      Port
      shenzhen

      Capacité d'approvisionnement

      Capacité d'approvisionnement
      10000 Morceau/Morceaux per Week
      Afficher plus

      Délai

      Quantité (pièce)1 - 1000 > 1000
      Durée estimée (jours)4À négocier

      Personnalisation

      Emballage personnalisé
      Commande min.: 2000
      Pour plus de détails de personnalisation, envoyez un message au fournisseur

      Description des produits par le fournisseur

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      0,9281 €

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