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(射频功率FET 150W 150MHz 50V) MRF150晶体管
暂无评价3 已售
重要属性
行业属性
型号
MRF150 transistors
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
Through Hole
描述
/
原产地
China
封装/外壳
TO-220-3
类型
JFET, Triode Transistor
工作环境温度
-55°C ~ 175°C (TJ), Standrad
D/C
In-Stock
供应类型
原厂原装
相似属性可替代料号
2SJ6920
可参考资料
数据表, 照片
品名
MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
15A
电压 - 集射极击穿（最大值）
250V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
202A
电流 - 集电极截止（最大值）
0.5A
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
75 @ 3A, 5V
功率 - 最大值
333
频率 - 跃迁
30MHz
安装方式
other
电阻器 - 基底（R1）
110Ω
电阻器 - 发射极基底（R2）
200Ω
FET 类型
N-Channel
FET 功能
不适用
漏源电压（Vdss）
55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
110A (Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
290m0hm 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V 250HA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
54nC 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1500pF 25V
响应频率(Hz)
-
额定电流
5μA
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
Vgs（最大值）
±20V
IGBT 类型
-
配置
不适用
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
18 A
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
52 mOhms
电压
55V
电压-输出
40V
电压 - 偏移（Vt）
40V
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
other
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90days
ROHS
Yes
Moq
1pcs
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Brand Name
NO brand
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包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
10X8X5 厘米
单品毛重：
0.500 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | 1001 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 7 | 12 | 待定 |
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