10,0*10,5 мм2 Si-легированная C-плоская полупроводниковая автономная подложка GaN для силового устройства

Name: 10,0*10,5 Мм2 Si-легированная C-плоская Полупроводниковая Автономная Подложка Gan Для Силового Устройства - Buy Gan,Power Device,Semiconductor Product on Alibaba.com
Brand: Ali
SKU: 1600584842524

Пока нет отзывов

Shanghai Ganova Electronic Information Co., Ltd.2 yrs

Наведите для увеличения

Основные характеристики

Другие характеристики

Происхождение товара

China

Наименование

GaNova

Модели

JDCD01-001-002

Тип

Ган вафли

Item

GaN-FS-C-U-S10 GaN-FS-C-N-S10 GaN-FS-C-SI-S10

Dimensions

10 x 10.5 mm2

Thickness

350 ±25μm

Conduction Type

N-type N-type Semi-Insulating

Orientation

C plane (0001) off angle toward M-axis 0.35 ±0.15°

TTV

≤ 10μm

BOW

- 10μm ≤ BOW ≤ 10μm

Dislocation Density

From 1 x 10^5 to 3 x 10^6cm-² (calculated by CL)*

Macro Defect Density

0 cm-²

Useable Area

> 90% (edge exclusion)

Упаковка и доставка

Подробности об упаковке

carton

Порт

Shanghai

Развернуть

Описание товара от поставщика

>= 6 шт.

34 390 JP¥

Варианты

Всего вариантов:

Выбрать сейчас

Транспортировка

Транспортные решения для выбранного количества в настоящее время недоступны

Преимущества для участников

Быстрый возврат средствБольше

Защита для этого товара

Безопасные платежи

Каждый ваш платеж на Alibaba.com защищен с помощью надежного SSL-шифрования и протоколов защиты данных PCI DSS

Политика возврата средств

Подайте заявку на возврат средств, если ваш заказ не был отправлен, утерян или были выявлены проблемы с поступившим товаром