10N60 TO-220 600V 10A transistor de efecto de campo N-Channel Power MOSFET 10N60

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Brand: Ali
SKU: 1600932099390

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Shenzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.2 yrs

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Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo

10N60

Tipo

IGBT Transistor

Marca

original

Tipo de paquete

Otros

Otros atributos

Tipo de montaje

Montaje en superficie

Descripción

Transistor de Igbt

Lugar del origen

Guangdong, China

PAQUETE/cubierta

Tipo

Componentes electrónicos

Temperatura de funcionamiento

-, 150 °C (TJ)

d/c

Tipo de Proveedor

Agencia, ODM, Fabricante Original, Minorista

Los medios disponibles

Hoja de Datos, Foto

品名

Corriente de colector (Ic) (máx.)

-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)

Vce de saturación (Max) @ Ib Ic

-, 400mV @ 50mA, 1A

Corriente de colector de corte (Max)

-, 100nA (ICBO)

Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce

-, 100 @ 100mA, 2V

Poder-Max

-, 1W

-Frecuencia de transición

-, 150MHz

Resistencia Base (R1)

Resistencia-emisor Base (R2)

FET tipo

Tensión de drenador a fuente (Vdss)

Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C

Rds (Max) @ Id Vgs

Vgs (th) (Max) @ Id

La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)

Frecuencia

Corriente nominal (en amperios)

Ruido

Potencia de salida

-Tensión nominal

Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)

Vgs (Max)

Tipo IGBT de

Vce (on) (Max) @ Vge Ic

Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce

De entrada

Termistor NTC

-Tensión de distribución (V (BR) GSS)

Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)

Corriente de drenaje (Id).

-Tensión de corte (VGS) @ Id

Resistencia-On (RDS)

Tensión

Tensión de salida-salida

-Tensión Offset (Vt)

Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)

Corriente de Valle Iv)

Corriente de pico

Aplicaciones

Marca

100% nuevo y original

Garantía de Calidad

Informe de prueba disponible

Paquete

Original con etiquetas

Eficiente

Entrega rápida

Embalaje y entrega

Paquete

ESD/Vacío/Espuma/Cartones

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