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Lingot de silicium monocristallin de 12 pouces

Attributs clés

Autres attributs

Point d'origine
Jiangsu, China
Marque nom
henglixin
Numéro de Type
N and P
Type
Plaquette de silicium
Growth method
CZ or MCZ
Crystal orientation
100
Deviation of crystal orientation
0 ± 1°
Dopants
phosphorus
Resistivity (Ω.cm)
1-100 or >100
Radial resistivity change
<15%@6mm
Oxygen content (ppma)
8-18(New ASTM)
Change in radial oxygen content
<10%@10mm
Carbon content (ppma)
≤1
Dislocation density (pcs/cm2)
0

Délai

Quantité (kilogramme)1 - 12 - 100101 - 1000 > 1000
Durée estimée (jours)142828À négocier

Personnalisation

Emballage personnalisé
Commande min.: 20

Description des produits par le fournisseur

1 - 99 kilogramme
155,57 €
100 - 999 kilogramme
154,64 €
>= 1000 kilogramme
152,77 €

Quantité

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