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Diode MOSFET T0-220F triode le transistor

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Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type
2N80G-TF3-T
Type
MOSFET
Marque nom
YMX
Type de paquet
Montage en Surface

Autres attributs

Point d'origine
Guangdong, China
Package/Boîte
1
Application
Microphone
Type de Fournisseur
Fabricant d'origine, L'agence, Détaillant, Other
Médias Disponibles
Fiche technique, Photo, Modèles EDA/cao, Other
品名
MOS
Collecteur de courant (Ic) (Max)
1
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
1
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
1
Courant-coupure de collecteur (Max)
1
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1
Puissance Max
1
Fréquence-Transition
1
Résistance-socle (R1)
1
Résistance-socle émetteur (R2)
1
FET Type
1
FET Caractéristique
Carbure de silicium (SiC)
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
1
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
1
Vgs (th) (Max) @ Id
1
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1
Fréquence
1
Courant nominal (ampères)
1
Facteur de bruit
1
Alimentation-Sortie
1
Tension Nominale
1
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
1
Vgs (Max)
1
Type IGBT
1
Configuration
Unique
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
1
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
1
Entrée
1
Thermistance NTC
1
Tension-panne (V (BR) GSS)
1
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
1
Vidange de courant (Id)-Max
1
Tension-coupure (VGS off) @ Id
1
Résistance-RDS (On)
1
Tension
1
Tension-Sortie
1
Tension-décalage (Vt)
1
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
1
Courant-vallée (Iv)
1
Courant-Crête
1
Applications
1

Emballage et livraison

Unités de vente :
Article unique
Taille du paquet individuel :
0.01X0.01X0.01 cm
Poids brut par article :
0.001 kg

Délai

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Durée estimée (jours)357À négocier
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Prix de l’échantillon :
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Emballage personnalisé
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1000 - 4999 paquet
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5000 - 9999 paquet
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