描述
先进的沟槽技术, 额定雪崩能量, 符合RoHS标准
品名
AKQH70N30 300v 70A n沟道功率MOSFET
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
70A(TC = 25 ℃), 49A(TC = 100 ℃)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
36.8毫欧姆
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.0V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
63nC
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
4500pF
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5-4V
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
1uA
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
10V
晶体管类型
MOSFET晶体管, N通道, 增强模式