30N60 mosfet G30n60 G30N60A4晶体管600V 75A至247晶体管G30N60A4D
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重要属性
行业属性
型号
30N60
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
YR
封装类型
表面贴片封装
其他属性
原产地
Jiangsu, China
封装/外壳
To247
应用
电源开关电路
供应类型
原厂原装, ODM, 代理, 零售商, 其他
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。, 其他
品名
30N60金属氧化物半导体场效应晶体管 (mosfet)
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
标准
电压 - 集射极击穿（最大值）
标准
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
标准
电流 - 集电极截止（最大值）
标准
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
标准
功率 - 最大值
标准
频率 - 跃迁
标准
操作温度
标准
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
标准
电阻器 - 发射极基底（R2）
标准
FET 类型
标准
FET 功能
碳化硅
漏源电压（Vdss）
标准
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
标准
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
标准
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
标准
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
标准
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
标准
Vgs（最大值）
标准
IGBT 类型
标准
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
标准
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
标准
输入
标准
NTC 热敏电阻
标准
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
标准
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
标准
漏极电流（Id） - 最大值
标准
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
标准
电阻 - RDS（开）
标准
电压
标准
电压-输出
标准
电压 - 偏移（Vt）
标准
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
标准
电流 - 谷值（Iv）
标准
电流 - 峰值
标准
应用
标准
名称
集成电路布图设计
产品名称
降压型DC/DC转换器
芯片架构
P + N
-颜色使用
车载充电器
包
To-247
交货时间
3-15天
产地:
江苏，中国 (大陆)
付款
PayPal，Visa，西方联盟，T/T
运输
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ 香港邮政
包装和发货信息
Packaging Details
SOP-8
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
0.16X0.41X1.49 厘米
单品毛重：
0.003 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 10 | 待定 |
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