แผ่นโลหะ Epi-เวเฟอร์ GaN-On-Sapphire,สำหรับอุปกรณ์ขาเลเซอร์ LED ประเภท N 4นิ้ว SSP Si-Doped

ยังไม่มีรีวิว

Shanghai Ganova Electronic Information Co., Ltd.2 yrs

CN

คุณสมบัติที่สำคัญ

คุณลักษณะอื่น ๆ

สถานที่กำเนิด

China

ชื่อแบรนด์

GaNova

หมายเลขรุ่น

2JDWY03-001-023

ชนิด

GaN เวเฟอร์

Item

GaN-T-C-N-C100

Dimensions

100 ± 0.2 mm

Thickness/Thickness STD

4.5 ± 0.5 μm / < 3%

Orientation Flat of GaN

(1-100) 0 ± 0.2 °, 30 ± 1 mm

Conduction Type

N-type

*XRD FWHMs

(0002) < 300 arcsec,(10-12) < 400 arcsec

Orientation of Sapphire

C plane (0001) off angle toward M-axis 0.2 ± 0.1 °

Orientation Flat of Sapphire

(11-20) 0 ± 0.2 °, 30 ± 1 mm

Sapphire Polish

Single side polished (SSP) / Double side polished (DSP)

Useable Area

> 90% (edge and macro defects exclusion)

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

รายละเอียดบรรจุภัณฑ์

carton

ความสามารถในการจัดหา

ความสามารถในการจัดหา

100000 ชิ้น / ชิ้น per Month

แสดงเพิ่มเติม

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

5 - 24 ชิ้น

฿10,838.63

>= 25 ชิ้น

฿10,322.50

รูปแบบ

ตัวเลือกทั้งหมด :

เลือกเลย

การจัดส่ง

โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้

สิทธิประโยชน์ของสมาชิก

คืนเงินเร็วดูเพิ่มเติม

ความคุ้มครองสำหรับผลิตภัณฑ์นี้

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

นโยบายการคืนเงิน

ขอรับเงินคืนหากคำสั่งซื้อของคุณไม่ได้จัดส่ง สูญหาย หรือสินค้าที่มาถึงมีปัญหาที่ตัวผลิตภัณฑ์