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40n60 Fgh40n60ufd Igbt MosfetトランジスタIcトランジスタダイオード30g124 Fgh40n60
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キー属性
中核事業の明細
モデル番号
40n60
タイプ
Igbtトランジスタ
銘柄
Original
パッケージのタイプ
Throught Hole, TO-3P
その他の属性
取付タイプ
標準
説明
Igbt
原産地
Original
パッケージ/ケース
新しい
タイプ
IGBTトランジスタ, 翻訳者
実用温度
-, 標準
d/c
-、新しい
適用
汎用
サプライヤータイプ
Odm
クロスリファレンス
-
メディア利用可能
その他
品名
-
電流コレクタ (Ic) (最大)
-
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
-
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
-
電流コレクタカットオフ (最大)
-
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
-
電源-Max
-
周波数遷移
-
抵抗-ベース (R1)
-
抵抗-エミッタベース (R2)
-
FET タイプ
-
ドレンにソース電圧 (Vdss)
-
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
-
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
-
Vgs (th) (最大) @ Id
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
周波数
-
定格電流 (アンペア)
-
雑音指数
-
パワー出力
-
電圧定格
-
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
-
Vgs (最大)
-
IGBT タイプ
-
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
-
入力容量 (Cies) @ Vce
-
入力
-
NTC サーミスタ
-
電圧内訳 (V (BR) GSS)
-
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
電流ドレイン (Id)-Max
-
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
-
抵抗 RDS (On)
-
電圧
-
電圧出力
-
電圧オフセット (Vt)
-
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
-
電流谷 (Iv)
-
電流ピーク
-
アプリケーション
一般的な目的
データシート
はい
MOQ
1000PCS
モデル
40N60
配送方法
Dhl、フェデックス、ups
リードタイム
すぐに出荷
支払い方法
T/T、ウェスタン・ユニオンおよびAlipayのリンク
包装と配送
梱包の詳細
カートン、バッグ、リールなど
供給能力
供給能力
10000 pcs per Week
リードタイム
| 数量 (ピース) | 1 - 500 | > 500 |
| 推定時間（日） | 5 | 交渉による |
カスタマイズ
カスタマイズされたパッケージ
最低 注文: 10000
カスタマイズの詳細については、 サプライヤーにメッセージを送信
サプライヤーからの製品説明
100 - 999 ピース
JP¥81
1000 - 9999 ピース
JP¥60
>= 10000 ピース
JP¥21
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この製品への保護
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