描述
低导通电阻, 高ESD能力的特殊工艺技术, 100% 雪崩试验, 良好的稳定性和均匀性,高EAS
品名
AKQP18N50 500v 18A n沟道功率MOSFET
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
18A(TC = 25 ℃), 10.8A(TC = 100 ℃)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
0.26欧姆
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.8V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
46nC
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2500pF
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
3.0-4.8V
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
1uA
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
10V
晶体管类型
MOSFET晶体管, N通道, 增强模式