用于UPS应用的500V 28A MOSFET n沟道增强模式功率MOSFET晶体管TO-3PN封装
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重要属性
行业属性
型号
AKT28N50NB
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
AIKO
封装类型
通孔
其他属性
安装类型
通孔
描述
低导通电阻, 高ESD能力的特殊工艺技术, 100% 雪崩试验, 良好的稳定性和均匀性，高EAS
原产地
Zhejiang, China
封装/外壳
TO-3PN
类型
MOSFET晶体管
工作环境温度
-55 ℃ ~ + 150 ℃
系列
MOSFET
应用
Dc-dc转换器和ac-dc电源
供应类型
原厂原装, ODM
可参考资料
数据表, 照片
品名
AKT28N50NB 500v 28A n沟道功率MOSFET
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
28A(TC = 25 ℃), 18A(TC = 100 ℃)
电压 - 集射极击穿（最大值）
500V
电流 - 集电极截止（最大值）
126A
功率 - 最大值
310W
操作温度
-55 °C ~ 150 °C
安装方式
引脚直插式封装
漏源电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
28A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
0.14欧姆
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5.0V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
115nC
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
4700pF
额定电流
28A
电压-额定
500V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
3.0-5.0V
Vgs（最大值）
500V
配置
单排
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
500V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
1uA
漏极电流（Id） - 最大值
28A
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
10V
电阻 - RDS（开）
0.14欧姆
电压
500V
电压 - 偏移（Vt）
± 30V
电流 - 谷值（Iv）
18A
电流 - 峰值
28A
应用
Dc-dc转换器和ac-dc电源
晶体管类型
MOSFET晶体管, N通道, 增强模式
VDSS
500V
VGSS
± 30V
漏极电流 (TC = 25 ℃)
28A
漏极电流 (TC = 100 ℃)
18A
单脉冲雪崩能量
3048mJ
最大功耗 (TC = 25 ℃)
310W
关闭延迟时间
210ns
总栅极电荷
115nC
应用程序1
UPS应用
应用2
Dc-dc转换器和ac-dc电源
包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
1X3X5 厘米
单品毛重：
0.006 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 50000 | 50001 - 100000000 | > 100000000 |
| 美国东部时间（天） | 20 | 30 | 待定 |
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