用于高压电源的900V 13A MOSFET n沟道增强模式功率MOSFET晶体管TO-3PN封装
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重要属性
行业属性
型号
AKT13N90N
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
AIKO
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
通孔
描述
低导通电阻, 100% 雪崩试验, 良好的稳定性和均匀性，高EAS, 高ESD能力的特殊工艺技术
原产地
Zhejiang, China
封装/外壳
TO-3PN
类型
MOSFET晶体管
工作环境温度
-55 ℃ ~ + 150 ℃
系列
MOSFET
应用
高压电源或脉冲电路
供应类型
原厂原装, ODM
可参考资料
数据表, 照片
品名
AKT13N90N 900v 13A n沟道功率MOSFET
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
13A(TC = 25 ℃), 6.3A(TC = 100 ℃)
电压 - 集射极击穿（最大值）
900V
电流 - 集电极截止（最大值）
52A
功率 - 最大值
300瓦
操作温度
-55 °C ~ 150 °C
安装方式
引脚直插式封装
漏源电压（Vdss）
900V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
13A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.2欧姆
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
90nC
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3300pF
额定电流
13A
电压-额定
900V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
3-5V
配置
单排
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
900V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
10uA
漏极电流（Id） - 最大值
13A
电阻 - RDS（开）
1.2欧姆
电压
900V
电压 - 偏移（Vt）
± 30V
电流 - 谷值（Iv）
6.3A
电流 - 峰值
13A
应用
高压电源或脉冲电路。
晶体管类型
MOSFET晶体管, N通道, 增强模式
VDSS
900V
VGSS
± 30V
漏极电流 (TC = 25 ℃)
13A
漏极电流 (TC = 100 ℃)
6.3A
单脉冲雪崩能量
1100mJ
最大功耗 (TC = 25 ℃)
300瓦
关闭延迟时间
260ns
总栅极电荷
90nC
应用程序1
高压电源
应用2
脉冲电路
包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
1X3X5 厘米
单品毛重：
0.006 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 50000 | 50001 - 100000000 | > 100000000 |
| 美国东部时间（天） | 20 | 30 | 待定 |
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¥7.25/pieces
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