C-Plane 8นิ้วความบริสุทธิ์สูง Al2O3พื้นผิวแซฟไฟร์เซมิคอนดักเตอร์สำหรับชิป LED

ยังไม่มีรีวิว

Shanghai Ganova Electronic Information Co., Ltd.2 yrs

CN

คุณสมบัติที่สำคัญ

คุณลักษณะอื่น ๆ

สถานที่กำเนิด

China

ชื่อแบรนด์

GaNova

หมายเลขรุ่น

JDCD08-001-007

ชนิด

Sapphire Substrate

Diameter

200.00±0.1mm

Thickness

customize±25μm

Material

High purity Al2O3(>99.995%)

Surface Orientation

C-Plane(0001)

Notch

A-Plane(11-20)

R-plane

R9

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

รายละเอียดบรรจุภัณฑ์

carton

ความสามารถในการจัดหา

ความสามารถในการจัดหา

100000 ชิ้น / ชิ้น per Month

แสดงเพิ่มเติม

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

12000 - 19999 ชิ้น

฿9,506.19

>= 20000 ชิ้น

฿8,201.42

รูปแบบ

ตัวเลือกทั้งหมด :

เลือกเลย

การจัดส่ง

โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้

สิทธิประโยชน์ของสมาชิก

คืนเงินเร็วดูเพิ่มเติม

ความคุ้มครองสำหรับผลิตภัณฑ์นี้

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

นโยบายการคืนเงิน

ขอรับเงินคืนหากคำสั่งซื้อของคุณไม่ได้จัดส่ง สูญหาย หรือสินค้าที่มาถึงมีปัญหาที่ตัวผลิตภัณฑ์