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CGH40120F CGH40120 (120 W RF功率GaN HEMT) 场效应晶体管CGH40120F
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
CGH40120F
种类
场效应晶体管
品牌
Original Brand
封装类型
表面贴片封装
其他属性
描述
Null
原产地
Malaysia
封装/外壳
440193
系列
Null
D/C
库存
应用
场效应晶体管
供应类型
原厂原装
相似属性可替代料号
Null
可参考资料
照片
品名
射频MOSFET HEMT 28v 440193
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
Null
电压 - 集射极击穿（最大值）
Null
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
Null
电流 - 集电极截止（最大值）
Null
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
Null
功率 - 最大值
Null
频率 - 跃迁
Null
操作温度
Null
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底（R1）
Null
电阻器 - 发射极基底（R2）
Null
FET 类型
Null
FET 功能
Null
漏源电压（Vdss）
Null
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
Null
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
Null
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
Null
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
Null
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
Null
响应频率(Hz)
0Hz ~ 4GHz
额定电流
28A
噪声系数
Null
功率-输出
120W
电压-额定
84V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
Null
Vgs（最大值）
Null
IGBT 类型
Null
配置
Null
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
Null
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
Null
输入
Null
NTC 热敏电阻
Null
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
Null
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
Null
漏极电流（Id） - 最大值
Null
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
Null
电阻 - RDS（开）
Null
电压
Null
电压-输出
Null
电压 - 偏移（Vt）
Null
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
Null
电流 - 谷值（Iv）
Null
电流 - 峰值
Null
应用
Null
保修
365天
供应商
深圳市SeekEC科技有限公司.
无铅状态
符合RoHS标准
数据表
可用
BOM服务
可用
IC编程
可用
真空包装
可用
付款
Paypal，贸易保证，西联汇款，T/T，信用卡，MoneyGram
提前期
5天内
包装和发货信息
Packaging Details
Original Packing
Port
SHENZHEN HONGKONG
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
1X1X1 厘米
单品毛重：
1.000 公斤
供应能力
供应能力
10000 件 per Week
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1 | > 1 |
| 美国东部时间（天） | 14 | 待定 |
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样品价格：
¥722.02/pieces
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PCB
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