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      Cicotex IPN70 R1 K4 P7 SATMA1 PG-SOT223 MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223 IPN70R1K4P7SATMA1

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      Shenzhen Cico Technology Co., Ltd.Fournisseur multi-spécialités8 yrsCN
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      Attributs clés

      Spécification de l'industrie de base.

      Numéro de Type
      IPN70R1K4P7SATMA1
      Type
      Single FETs MOSFETs
      Marque nom
      Cicotex
      Type de paquet
      PG-SOT223

      Autres attributs

      Type de montage
      Surface Mount
      Description
      MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
      Point d'origine
      Texas, United States
      Package/Boîte
      À-261-4, TO-261AA
      Type
      MOSFET des FET uniques
      Température de fonctionnement
      -40 °C ~ 150 °C (TJ)
      Série
      CoolMOS P7
      d/c
      -
      Application
      MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
      Type de Fournisseur
      Actif
      Référence croisée
      -
      Médias Disponibles
      -
      品名
      Transistors
      Collecteur de courant (Ic) (Max)
      -
      Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
      -
      Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
      -
      Courant-coupure de collecteur (Max)
      -
      Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      -
      Puissance Max
      -
      Fréquence-Transition
      -
      Température de fonctionnement
      -40°C ~ 150°C (TJ)
      Type de Support
      Montage en Surface
      Résistance-socle (R1)
      -
      Résistance-socle émetteur (R2)
      -
      FET Type
      N-canal
      FET Caractéristique
      MOSFET (oxyde métallique)
      Vidange à la tension de la Source (Vdss)
      700 V
      Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
      4A (Tc)
      Rds sur (Max) @ Id, Vgs
      1.4Ohm @ 700mA, 10V
      Vgs (th) (Max) @ Id
      3.5V @ 40uA
      Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
      4.7 nC @ 10 V
      Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
      158 pF @ 400 V
      Fréquence
      -
      Courant nominal (ampères)
      -
      Facteur de bruit
      -
      Alimentation-Sortie
      -
      Tension Nominale
      -
      Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
      -
      Vgs (Max)
      +-16V
      Type IGBT
      -
      Configuration
      -
      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      -
      Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
      -
      Entrée
      -
      Thermistance NTC
      -
      Tension-panne (V (BR) GSS)
      -
      Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Vidange de courant (Id)-Max
      -
      Tension-coupure (VGS off) @ Id
      -
      Résistance-RDS (On)
      -
      Tension
      -
      Tension-Sortie
      -
      Tension-décalage (Vt)
      -
      Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
      -
      Courant-vallée (Iv)
      -
      Courant-Crête
      -
      Applications
      MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
      Transistor Type
      -
      Dissipation de puissance (Max)
      6.2W (Tc)
      Paquet
      Ruban & moulinet (TR), Bande découpée (CT),Digi-Reel
      Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
      10V
      Statut du produit
      Actif
      Technologie
      MOSFET (oxyde métallique)
      Paquet/Étui
      TO-261-4, TO-261AA
      Quantité minimale de commande
      1 Pcs
      Qualité
      Nouveau et original
      Garantie
      360 Jours
      Garant
      Groupe Cicotex

      Emballage et livraison

      Unités de vente :
      Article unique
      Taille du paquet individuel :
      1X1X1 cm
      Poids brut par article :
      0.100 kg
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      Personnalisation

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