描述
MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
封装/外壳
TO-252-3, DPAK (2导联 + Tab), SC-63
工作环境温度
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
应用
MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
-
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
-
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
11A (Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
107mOhm @ 8A, 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
11.3 nC @ 10 V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
350 pF @ 25 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
-
应用
MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
包装
磁带和卷轴 (TR),切割磁带 (CT),数字卷轴
驱动电压 (最大Rds On,最小Rds On)
5V
包装/案例
TO-252-3,DPAK (2引线 + Tab),SC-63