描述
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
应用
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
-
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
-
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
200mA (Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2.2欧姆 @ 200mA,4.5v
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
26 pF @ 10 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
-
应用
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
包装
磁带和卷轴 (TR),切割磁带 (CT),数字卷轴
驱动电压 (最大Rds On,最小Rds On)
0.9V, 4.5V