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      D1001UK 20W 28V 175MHz RF MOSFET RF transistor VDMOS RF

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      Shenzhen Genuine Industries Limited1 yrCN
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      Attributi chiave

      Specifica di base del settore

      Numero del Modello
      D1001UK
      Tipo
      RF TRANSISTOR
      Marca
      Original
      Tipo del pacchetto
      Superficie di Montaggio

      Altri attributi

      Tipo di montaggio
      standard
      Descrizione
      D1001UK RF MOSFET RF transistor RF VDMOS transistor
      Punto d'origine
      Original
      Contenitore/Involucro
      metal + ceramic
      Tipo
      RF MOSFET RF transistor RF VDMOS transistor
      Temperatura di funzionamento
      -65 to 150°C
      Serie
      28V devices for frequencies to 1 GHz
      D/c
      23+
      Applicazione
      Alta frequenza
      Tipo Fornitore
      ODM, Agenzia, Rivenditore
      品名
      D1001UK 20W 28V 175MHz RF MOSFET
      -Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
      standard
      Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
      standard
      Corrente-Collettore di Taglio (Max)
      standard
      DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      standard
      Potenza-Max
      20W
      Frequenza-di Transizione
      1-175MHz
      Temperatura di funzionamento
      -65 to 150°C
      Tipo di Ontaggio
      Superficie di Montaggio
      Resistenza-Base (R1)
      standard
      Resistenza-Emettitore Base (R2)
      standard
      Tipo FET
      VDMOS
      FET Caratteristica
      Standard di
      Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
      70V
      Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
      5A
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      standard
      Vgs (th) (Max) @ Id
      7V
      Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
      standard
      Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
      60 pF
      Frequenza
      1-175MHz
      Corrente Nominale (Ampere)
      5A
      Figura di rumore
      standard
      Potenza di Uscita
      20W
      -Tensione Nominale
      28V
      Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
      standard
      Vgs (Max)
      7V
      Tipo IGBT
      standard
      Configurazione
      standard
      Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
      standard
      Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
      standard
      Ingresso
      standard
      NTC Termistore
      standard
      -Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
      ±20V
      Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      1 mA
      Consumo di corrente (Id)-Max
      5A
      -Tensione di Taglio (VGS off) @ Id
      70V
      Resistenza-RDS (On)
      standard
      Tensione
      standard
      Tensione-Uscita
      standard
      -Tensione di Offset (Vt)
      standard
      Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)
      standard
      Corrente-Valle (Iv)
      standard
      Corrente di Picco-Picco
      standard
      Applicazioni
      standard
      Tipo di transistore
      RF MOSFET

      Imballaggio e consegna

      Unità di vendita:
      Articolo singolo
      Dimensioni della confezione singola:
      15X10X6 cm
      Peso loro per unità:
      0.400 kg
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      Tempi di consegna

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      Tempo previsto (giorni)37Da negoziare

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