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D882p Npn芯片电路Mosfet预原电子D882晶体管等效Blf278
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
Blf278
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
original
封装类型
/
其他属性
安装类型
Standard
描述
Standard
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
类型
Other
工作环境温度
/
D/C
/, Newest
应用
/
供应类型
原厂原装, ODM, 代理, 零售商
可参考资料
数据表, 照片
品名
/
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
/
电压 - 集射极击穿（最大值）
/
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
/
电流 - 集电极截止（最大值）
/
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
/
功率 - 最大值
/
频率 - 跃迁
/
操作温度
-
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 类型
-
FET 功能
A
漏源电压（Vdss）
/
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
/
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
/
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
/
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
/
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
/
响应频率(Hz)
/
额定电流
-
噪声系数
22dBA
功率-输出
378W
电压-额定
50V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
Vgs（最大值）
--
IGBT 类型
Triode Transistor
配置
A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
/
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
/
输入
/
NTC 热敏电阻
/
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
/
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
/
漏极电流（Id） - 最大值
/
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
/
电阻 - RDS（开）
/
电压
/
电压-输出
/
电压 - 偏移（Vt）
/
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
/
电流 - 谷值（Iv）
/
电流 - 峰值
/
应用
/
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1-3 Working Days
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Warranty
90-180Days
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Packaging Details
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单品包装尺寸：
10.00X10.00X10.00 厘米
单品毛重：
0.100 公斤
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| 美国东部时间（天） | 3 | 7 | 待定 |
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