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Din Tek半导体DTQ6615 dfn5x6p沟道60V 60A Mosfet晶体管
5.0(1 review)3 笔订单
重要属性
行业属性
型号
DTQ6615
种类
Transistor
品牌
Din-Tek
封装类型
表面贴片封装
其他属性
描述
DTQ6615
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
DFN5x6
D/C
Standard
应用
电源开关电路
供应类型
原厂原装, ODM, 代理
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。
品名
DTQ6615
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
Standard
电压 - 集射极击穿（最大值）
Standard
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
Standard
电流 - 集电极截止（最大值）
Standard
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
Standard
功率 - 最大值
Standard
频率 - 跃迁
Standard
操作温度
Standard
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底（R1）
Standard
电阻器 - 发射极基底（R2）
Standard
FET 类型
Standard
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
Standard
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
Standard
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
Standard
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
Standard
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
Standard
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
Standard
响应频率(Hz)
Standard
额定电流
Standard
噪声系数
Standard
功率-输出
Standard
电压-额定
Standard
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
Standard
Vgs（最大值）
Standard
IGBT 类型
Standard
配置
Single P Channel
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
Standard
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
Standard
输入
Standard
NTC 热敏电阻
Standard
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
Standard
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
Standard
漏极电流（Id） - 最大值
Standard
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
Standard
电阻 - RDS（开）
Standard
电压
Standard
电压-输出
Standard
电压 - 偏移（Vt）
Standard
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
Standard
电流 - 谷值（Iv）
Standard
电流 - 峰值
Standard
应用
Standard
Product Name
DFN5x6 Mosfet
Package
Original Pacakge
Quality
100% Original 100% Brand
Payment
Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance
VDS (V)
-60
VGS ±(V)
20
ID (A)
-60
Condition
Single P Channel
Brand
Din-Tek
LEAD TIME
3-7days
包装和发货信息
Port
Shenzhen/Hongkong
供应能力
供应能力
100000 件 per Month
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 7 | 待定 |
定制
LOGO定制
最小起订量: 1000
外包裝定制
最小起订量: 1000
图案定制
最小起订量: 1000
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