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欧共体达林顿晶体管NPN功率达林顿200 uA TIP122
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Shenzhen Xinyuan Century Electronics Co., Ltd.
1 yr
CN
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重要属性
行业属性
型号
TIP122
种类
标准
品牌
EC-Mart
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
通孔, 表面贴装
描述
晶体管
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-220-3
类型
达林顿晶体管
工作环境温度
-
系列
TIP122
D/C
新建
供应类型
原厂原装
相似属性可替代料号
FDC5612-NL
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。
品名
TIP122
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
-
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
-
电流 - 集电极截止(最大值)
-
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
--
功率 - 最大值
-
频率 - 跃迁
-
电阻器 - 基底(R1)
-
电阻器 - 发射极基底(R2)
-
FET 类型
-
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
-
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
-
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
Vgs(最大值)
-
IGBT 类型
-
配置
-
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
-
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
-
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
-
漏极电流(Id) - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
-
电阻 - RDS(开)
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移(Vt)
--
电流 - 栅极至阳极漏(Igao)
-
电流 - 谷值(Iv)
-
电流 - 峰值
-
应用
-
集电极-发射极电压VCEO Max
100 V
发射极-基极电压VEBO
5 V
集电极-基极电压VCBO
100 V
最大直流集电极电流
5 A
最大集电极截止电流
200 uA
安装样式
TO-220-3
子类别
晶体管
展开
交货时间
数量 (pieces)
1 - 10000
> 10000
美国东部时间(天)
5
待定
供应商的产品说明
100 - 499 pieces
¥2.11
500 - 999 pieces
¥1.82
>= 1000 pieces
¥1.38
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