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欧共体晶体管MOSFET mosfft双N/PCh 25V 3.5a IRF7105TRPBF
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重要属性
行业属性
型号
IRF7105TRPBF
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
EC-Mart
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
通孔
描述
晶体管
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
SOIC-8
D/C
新建
供应类型
原厂原装
品名
IRF7105TRPBF
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
--
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
-
电流 - 集电极截止（最大值）
-
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
-
功率 - 最大值
-
频率 - 跃迁
-
操作温度
-
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
--
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
--
IGBT 类型
-
配置
-
Vds-漏源击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
3.5 A
Rds上-漏-源电阻
160 mOhms
Vgs-栅极-源极电压
-20 V, + 20 V
Vgs th-栅源阈值电压
1 V
Qg-栅极电荷
9.4 nC
最低工作温度
-55摄氏度
最高工作温度
+ 150 C
Pd-功耗
2 W
产品类型
MOSFET
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 5 | 待定 |
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最小起订量: 99999
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