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トランジスタRTR025N05TL-VB SOT-23 Nチャネル30V 6.5A MOSFET半導体刻印VB1330
レビューはまだありません
キー属性
中核事業の明細
モデル番号
RTR025N05TL-VB
タイプ
Mosfet
銘柄
VBsemi
パッケージのタイプ
表面実装
その他の属性
取付タイプ
SMD/SMT
説明
RTR025N05TL-VB
原産地
Guangdong, China
パッケージ/ケース
SOT-23
タイプ
MOSFET
実用温度
-55 ~ + 150 ℃
シリーズ
Nチャンネル
d/c
最新
適用
汎用
サプライヤータイプ
オリジナルメーカー
クロスリファレンス
VB1330
メディア利用可能
データシート
品名
RTR025N05TL-VB
電流コレクタ (Ic) (最大)
6.5A
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
30V
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
標準
電流コレクタカットオフ (最大)
6.5A
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
標準
電源-Max
1.7W
周波数遷移
標準
動作温度
-55~+150℃
マウンティング類
表面実装
抵抗-ベース (R1)
標準
抵抗-エミッタベース (R2)
標準
FET タイプ
強化
FET 機能
強化
ドレンにソース電圧 (Vdss)
30V
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
6.5A
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
標準
Vgs (th) (最大) @ Id
標準
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
標準
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
標準
周波数
標準
定格電流 (アンペア)
標準
雑音指数
標準
パワー出力
標準
電圧定格
標準
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
標準
Vgs (最大)
± 20V
IGBT タイプ
標準
構成
シングル
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
標準
入力容量 (Cies) @ Vce
標準
入力
標準
NTC サーミスタ
標準
電圧内訳 (V (BR) GSS)
標準
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
標準
電流ドレイン (Id)-Max
6.5A
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
標準
抵抗 RDS (On)
30mΩ @ 10V
電圧
標準
電圧出力
標準
電圧オフセット (Vt)
標準
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
標準
電流谷 (Iv)
標準
電流ピーク
標準
アプリケーション
一般的な目的
トランジスタタイプ
強化
モデル番号
RTR025N05TL-VB
リードタイム
| 数量 (ピース) | 1 - 1 | > 1 |
| 推定時間（日） | 2 | 交渉による |
カスタマイズ
カスタマイズされたロゴ
最低 注文: 1
カスタマイズされたパッケージ
最低 注文: 1
グラフィックのカスタマイズ
最低 注文: 1
カスタマイズの詳細については、 サプライヤーにメッセージを送信
