Electronics Component NEW IN STOCK RF MOSFET JFET 30V TO92 BF245A BF245B BF245C
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重要属性
行业属性
型号
BF245ABC
种类
Transistors
品牌
Original brand
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
Through Hole
描述
standard
原产地
Taiwan, China
封装/外壳
SOT-54
类型
MOSFET
工作环境温度
Standard
系列
BF245
D/C
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应用
Solar Inverters
供应类型
原厂原装, ODM
相似属性可替代料号
/
可参考资料
数据表, 照片
品名
Transistors
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
-
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
-
电流 - 集电极截止（最大值）
-
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
-
功率 - 最大值
-
频率 - 跃迁
-
操作温度
-55°C ~ 150°C
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 类型
-
漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
Vgs（最大值）
-
IGBT 类型
-
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
Solar Inverters
晶体管类型
-
Type
Transistor
Channel Polarity
RF JFET Transistors
Configuration
Single
Package
SOT-54
Lead Free Status
RoHS Compliant
Condition
Original new 100%
Shipping by
DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS\SF or Other
Technology
MOSFET Metal Oxide
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1 | > 1 |
| 美国东部时间（天） | 2 | 待定 |
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最小起订量: 1000
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