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      FDD16AN08A0 FDD16AN08AO 16AN08A0 16AN08AO 16AN08 FDD16AN0 TO-252 45A 100V N-Kanal Strom-Mosfet-Transistor

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      Shenzhen Kexin Weiye Electronics Co.,ltd.1 yrCN
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      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      FDD16AN08A0
      Art
      MOSFET
      Markenname
      JSMSEMI
      Paket-Art
      Oberfläche Montieren

      Andere Merkmale

      Montage Typ
      Smd
      Beschreibung
      45a 100V n-Kanal-Leistungs-Mosfet-Transistor
      Ursprungsort
      Guangdong, China
      Paket/Fall
      Bis-252
      Art
      Smd
      Betriebstemperatur
      -55-150c
      Serie
      Fdd
      D/c
      2024
      Anwendung
      Allgemeine Zweck
      Lieferantentyp
      Original hersteller
      Media Verfügbar
      Datenblatt, das Fotos
      品名
      45a 100V n-Kanal-Leistungs-Mosfet-Transistor
      Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
      100v
      Strom-Collector Cutoff (Max)
      0
      Power-Max
      136,4 w
      Betriebstemperatur
      -55-150C
      Befestigungstyp
      Oberfläche Montieren
      FET Typ
      Mos
      FET Feature
      Standard
      Drain Quelle Spannung (Vdss)
      100v
      Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
      0
      Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
      100v
      Vgs (th) (Max) @ Id
      0
      Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
      0
      Frequenz
      0
      Nennstrom (Ampere)
      0
      Power-Ausgang
      136,4 w
      Spannung-Bewertet
      100v
      Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
      100v
      Vgs (Max)
      100v
      IGBT Typ
      Mos
      Konfiguration
      Dual, Gemeinsame Quelle
      Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
      0
      Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
      100v
      Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      0
      Strom Drain (Id)-Max
      0
      Spannung
      100v
      Spannung-Ausgang
      100v
      Spannung-Offset (Vt)
      100v
      Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
      0
      Strom-Tal (Iv)
      0
      Strom-Spitzen
      0
      Anwendungen
      Strom versorger
      Transistor Typ
      Mos

      Verpackung und Lieferung

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      38X38X5 cm
      Bruttogewicht pro Charge:
      1.200 kg
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