جميع الفئات
مختارات مميزة
    Trade Assurance
    مركز المشتري
    مركز المساعدة
      احصل على التطبيق
      انضم إلى المورِّدين

      FDD6685 MOSFET 30V 11A/40A إلى 252 ic

      لا توجد تقييمات حتى الآن
      Shenzhen Anterwell Technology Ltd.10 yrsCN

      السمات الأساسية

      المواصفة الأساسية في الصناعة

      رقم الموديل
      FDD6685

      نوع
      IGBT الترانزستور

      اسم العلامة التجارية
      brand new

      نوع الحزمة
      سطح جبل

      سمات أخرى

      تصاعد نوع
      سطح جبل

      الوصف
      -

      مكان المنشأ
      Amazonas, Brazil

      حزمة/حالة
      TO-252AA

      نوع
      أخرى

      درجة حرارة التشغيل
      -55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية

      d/ c
      الأحدث

      الوضعية
      المضخم

      وسائل الإعلام المتاحة
      ورقة البيانات, صورة, EDA/CAD نماذج, أخرى

      品名
      ترانزستورات

      الجهد-جامع باعث انهيار (ماكس)
      -

      Vce التشبع (ماكس) @ Ib ، Ic
      -

      الحالية-جامع قطع (ماكس)
      -

      DC الربح الحالي (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
      -

      الطاقة-ماكس
      -

      تردد-الانتقال
      -

      درجة حرارة التشغيل
      -55°C ~ 175°C

      Mounting Type
      سطح جبل

      المقاوم-قاعدة (R1)
      -

      المقاوم-باعث قاعدة (R2)
      -

      FET ميزة
      القياسية

      استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
      -

      الحالي المستمر استنزاف (Id) @ 25 °C
      -

      Rds على (ماكس) @ معرف ، Vgs
      -

      Vgs (الرابعة) (ماكس) @ Id
      -

      بوابة تهمة (Qg) (ماكس) @ Vgs
      -

      السعة المدخلات (كيبك) (ماكس) @ Vds
      -

      تردد
      -

      تصنيف الحالية (أمبير)
      -

      الضوضاء الشكل
      -

      السلطة الإخراج
      -

      الجهد تقييما
      -

      محرك الجهد (ماكس Rds على ، دقيقة Rds على)
      -

      Vgs (ماكس)
      -

      IGBT نوع
      -

      التكوين
      الكامل جسر

      Vce (على) (ماكس) @ Vge ، Ic
      -

      السعة المدخلات (Cies) @ Vce
      -

      المدخلات
      -

      NTC الثرمستور
      -

      الجهد-انهيار (V (BR) الشاباك)
      -

      الحالي استنزاف (فاعلية النظام) @ Vds (Vgs = 0)
      -

      الحالي استنزاف (Id)-ماكس
      -

      الجهد-قطع (VGS إيقاف) @ Id
      -

      المقاومة-RDS (على)
      -

      الجهد
      -

      الجهد والمخرجات
      -

      الجهد-تعويض (Vt)
      -

      الحالي-بوابة إلى الأنود تسرب (Igao)
      -

      الحالي-وادي (Iv)
      -

      الحالي-الذروة
      -

      Applications
      -

      الترانزستور نوع
      أخرى

      جهد مصدر التصريف
      -30 فولت

      بوابة مصدر الجهد
      ± 25 فولت

      نطاق درجة حرارة تقاطع التخزين
      -55 إلى + 175 درجة مئوية

      ضمان
      180 يومًا

      الدفع
      ضمان تجارة paypalttwesturn Unionalibaba

      الجودة
      العلامة التجارية الأصلية ٪ ٪ ٪

      مهلة
      الشحن على الفور

      موك
      10 أو

      رمز التاريخ
      الأحدث ROHS

      ورقة البيانات
      اتصل Wechat/واتساب: 8613652365263

      التعبئة والتغليف والتوصيل

      تفاصيل التعبئة والتغليف
      حزمة المصنع الأصلي

      ميناء
      HK.SZ

      قدرة العرض

      قدرة العرض
      50000 قطعة / قطع per Week

      عرض أكثر

      التخصيص

      111
      وردر: 100000
      لمزيد من تفاصيل التخصيص، مراسلة المورِّد
      >= 10 قطعة
      ‏٠٫٨٠ US$

      الأشكال

      إجمالي الخيارات:
      تحديد الآن

      الشحن

      لا تتوفر حلول شحن للكمية المحددة في الوقت الحالي

      Membership benefits

      استرداد ثمن سريع على الطلبات الأقل من 1000 دولارالمطالبة الآن

      سُبل الحماية لهذا المنتج

      مدفوعات آمنة

      يتم تأمين كل دفعة تقدمها على Alibaba.com باستخدام تشفير SSL صارم وبروتوكولات حماية بيانات PCI DSS

      سياسة استرداد الأموال

      طالِب باسترداد الثمن إذا لم يُشحن طلبك، أو فُقد، أو وصل مع وجود مشكلات في المنتج
      تحمي Alibaba.com جميع طلباتك التي تقدمها وتدفع ثمنها على المنصة باستخدام