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FGH75T65SQDNL4 신규 및 오리지널 YC (전자 부품 집적 회로 IC 칩 재고) FGH75T65SQDNL4

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주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호
FGH75T65SQDNL4
유형
전원 트랜지스터
유명 상표
Original
포장 유형
표면 마운트

기타 속성

장착 유형
표준, 표준
설명
트랜지스터
원래 장소
Guangdong, China
패키지/케이스
원래
유형
MOS
작용 온도
표준, 표준
시리즈
MOS
D/ C
23 +
신청
표준
공급 유형
원래
상호 참조
원래
미디어 가능
원래
品名
FGH75T65SQDL4
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
원래
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
원래
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
원래
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
원래
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
원래
전원 최대
표준
주파수-전환
원래
작동 온도
표준, 정상 온도
마운트 유형
원래
저항 (R1)
원래
저항 이미터 (R2)
원래
FET 유형
표준
FET 특징
원래
드레인 근원 전압 (Vdss)
원래
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
표준
Rds (Max) @ Id, Vgs
원래
Vgs (th) (최대) @ Id
원래
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
표준
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
원래
주파수
원래
현재 등급 (암페어)
원래
잡음
표준
전원 출력
표준
전압-정격
원래
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
원래
Vgs (최대)
표준
IGBT 유형
표준
구성
표준
Vce () (최대) @ Vge, Ic
원래
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
표준
입력
표준
NTC 서미스터
원래
전압 고장 (V (BR) GSS)
원래
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
표준
현재 하수구 (Id)-Max
원래
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
표준
전압
원래
전압-출력
원래
전압 오프셋 (Vt)
원래
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
원래
전류 밸리 (Iv)
원래
전류-피크
원래
응용프로그램
원래
트랜지스터 유형
원래
지불
페이팔 \ TT \ 웨스턴 유니온 \ 무역 보증
패키지
원래
리드 타임
1-7 일

리드 타임

수량 (개)1 - 10000 > 10000
예상 시간(일)3협의 예정

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