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FQPF8N60C 8N60C 8N60 600V 8A MOSFET n沟道晶体管TO-220F全新原装

暂无评价

重要属性

行业属性

型号
FQPF8N60C
种类
-
品牌
Original
封装类型
-

其他属性

安装类型
-
描述
MOSFET n沟道晶体管
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
-
类型
-
工作环境温度
-
系列
-
D/C
-
应用
-
供应类型
代理
相似属性可替代料号
-
可参考资料
数据表, 照片, 其他
品名
MOSFET n沟道晶体管
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
-
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
-
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
-
操作温度
-
安装方式
-
电阻器 - 基底(R1)
-
电阻器 - 发射极基底(R2)
-
FET 类型
-
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
-
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
-
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
Vgs(最大值)
-
IGBT 类型
-
配置
-
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
-
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
-
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
-
漏极电流(Id) - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
-
电阻 - RDS(开)
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移(Vt)
-
电流 - 栅极至阳极漏(Igao)
-
电流 - 谷值(Iv)
-
电流 - 峰值
-
应用
-
晶体管类型
-
提前期
1-2天
装运
DHL FEDEX UPS TNT
付款
支付宝
填料
防静电袋
最小起订量
样品
保修
1年
颜色
作为图片
条件
新建

包装和发货信息

Packaging Details
纸箱,防静电袋

供应能力

供应能力
100000 件 per Month

交货时间

数量 (pieces)1 - 500 > 500
美国东部时间(天)3待定

定制

LOGO定制
最小起订量: 1000
外包裝定制
最小起订量: 1000

供应商的产品说明

100 - 999 pieces
¥1.45
1000 - 2999 pieces
¥1.37
3000 - 4999 pieces
¥1.30
>= 5000 pieces
¥1.23

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