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厂家直销20N60C3原装晶体管Mosfet 20N60
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
20N60
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
封装类型
表面贴片封装
其他属性
描述
MRF9180
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
/
系列
MRF9180
D/C
20 +
应用
不适用
供应类型
原厂原装, 其他
相似属性可替代料号
标准
可参考资料
数据表
品名
/
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
/
电压 - 集射极击穿（最大值）
/
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
/
电流 - 集电极截止（最大值）
/
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
/
功率 - 最大值
/
频率 - 跃迁
/
操作温度
/
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 类型
-
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
标准
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
标准
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
标准
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
标准
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
标准
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
标准
Vgs（最大值）
标准
IGBT 类型
标准
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
标准
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
标准
输入
标准
NTC 热敏电阻
标准
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
标准
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
标准
漏极电流（Id） - 最大值
标准
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
标准
电阻 - RDS（开）
标准
电压
标准
电压-输出
标准
电压 - 偏移（Vt）
标准
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
标准
电流 - 谷值（Iv）
标准
电流 - 峰值
标准
应用
电子元件
包装
TO-220
包装和发货信息
Packaging Details
托盘、卷轴、管子
Port
Shenzhen
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
15X15X5 厘米
单品毛重：
0.500 公斤
供应能力
供应能力
10000 件 per Day
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 5000 | 5001 - 10000 | 10001 - 20000 | > 20000 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 5 | 7 | 待定 |
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样品价格：
¥0.4348/pieces
定制
外包裝定制
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图案定制
最小起订量: 1000
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100 - 299 pieces
¥0.3624
300 - 499 pieces
¥0.2174
>= 500 pieces
¥0.0725
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