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场效应晶体管Fqp50n06 50n06 60V N沟道Mosfet
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Dongguan Mixin Micro Semiconductor Co., Ltd.
实力工厂
4 yrs
CN
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重要属性
行业属性
型号
50n06
种类
其他
品牌
Origin
封装类型
SMD/DIP
其他属性
原产地
China
封装/外壳
N/A
D/C
新的
应用
N/A
供应类型
N/A
相似属性可替代料号
N/A
可参考资料
N/A
品名
N/A
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
N/A
电压 - 集射极击穿(最大值)
N/A
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
N/A
电流 - 集电极截止(最大值)
N/A
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
N/A
功率 - 最大值
N/A
频率 - 跃迁
N/A
操作温度
N/A
安装方式
N/A
电阻器 - 基底(R1)
N/A
电阻器 - 发射极基底(R2)
N/A
FET 类型
N/A
FET 功能
N/A
漏源电压(Vdss)
N/A
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
N/A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
N/A
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
N/A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
N/A
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
N/A
响应频率(Hz)
N/A
额定电流
N/A
噪声系数
N/A
功率-输出
N/A
电压-额定
N/A
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
N/A
Vgs(最大值)
N/A
IGBT 类型
N/A
配置
N/A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
N/A
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
N/A
输入
N/A
NTC 热敏电阻
N/A
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
N/A
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
N/A
漏极电流(Id) - 最大值
N/A
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
N/A
电阻 - RDS(开)
N/A
电压
N/A
品牌
原
保修
1年
备货期
3-5day
送货地址
深圳
包装和发货信息
Packaging Details
New and Original, factory sealed packing, it will be pack in one of these packing type: Tube, Tray, Tape and Reel, Tape and Box, Bulk packing, Bag and etc. Please kindly contact us for more details.
Port
shenzhen
供应能力
供应能力
10000 件 per Week
展开
交货时间
数量 (pieces)
1 - 10
11 - 100
> 100
美国东部时间(天)
1
2
待定
定制
PCBA
最小起订量: 1
SMT
最小起订量: 1
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私信供应商
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