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GPIHV30DFN Mosfet晶体管n沟道1200 V 30A贴片芯片GPIHV30DFN
暂无评价
Dongguan Mixin Micro Semiconductor Co., Ltd.
实力工厂
4 yrs
CN
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重要属性
行业属性
型号
GPIHV30DFN
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original
封装类型
表面贴片封装
其他属性
原产地
China
封装/外壳
死了
D/C
新的
应用
Mosfet晶体管
可参考资料
数据表
品名
GPIHV30DFN
功率 - 最大值
-
操作温度
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
安装方式
表面贴片封装
FET 类型
N-Channel
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
1200 V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
30A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 3.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
8.25数控 @ 6 V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
236 pF @ 400 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V
Vgs(最大值)
+ 7.5V-12V
电流 - 谷值(Iv)
-
电流 - 峰值
-
应用
-
品牌
原
备货期
3-5day
送货地址
深圳
包装和发货信息
Packaging Details
New and Original, factory sealed packing, it will be pack in one of these packing type: Tube, Tray, Tape and Reel, Tape and Box, Bulk packing, Bag and etc. Please kindly contact us for more details.
Port
Shenzhen
供应能力
供应能力
10000 件 per Week
展开
交货时间
数量 (pieces)
1 - 10000
> 10000
美国东部时间(天)
3
待定
供应商的产品说明
>= 1 pieces
¥0.7247
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