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Great Brand New SKiM401TMLI12E4B SKiM 4 Trench IGBT Modules 1200 V 400 A SKiM401TMLI12E4B SKIIP IGBT MOSFET
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
SKiM401TMLI12E4B
种类
IGBT晶体管
品牌
Original
封装类型
-
其他属性
安装类型
standard
描述
standard
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
standard
类型
standard
工作环境温度
standard
系列
standard
D/C
NEW
应用
MOSFET 驱动器
供应类型
原厂原装
相似属性可替代料号
-
可参考资料
数据表
品名
standard
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
standard
电压 - 集射极击穿（最大值）
-
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
-
电流 - 集电极截止（最大值）
-
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
-
功率 - 最大值
standard
频率 - 跃迁
standard
操作温度
standard
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 类型
standard
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
--
Vgs（最大值）
-
IGBT 类型
-
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
-
NTC 热敏电阻
--
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
-
电压-输出
--
电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
-
晶体管类型
-
Part Number
SKiM401TMLI12E4B
Manufacturer
Semikron Danfoss
Quality
Brand New
Lead Time
1-2Days
MOQ
1
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1 | > 1 |
| 美国东部时间（天） | 1 | 待定 |
定制
外包裝定制
最小起订量: 100
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