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      Hochleistung SMD LED-Infrarotlaser Diode 7060 850 nm 1 W/3 W/8 W IR 800mw-1500mw mit EPistar Chip 3 V Eingangsspannung

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      Shenzhen Jnj Optoelectronics Co., Limited4 yrsCN

      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Garantie (Jahr)
      3-JAHR
      Stützdimmer
      Ja
      Leucht Wirksamkeit (lm/w)
      1200
      Span-Material
      AlGaInP

      Andere Merkmale

      Ursprungsort
      Guangdong, China
      Farben-Temperatur (CCT)
      850NM
      Eingangs-Spannung (V)
      2.8V-3.5V
      Art
      SMD LED
      Beleuchtung lösungen service
      Beleuchtung und schaltung design, DIALux evo layout, LitePro DLX layout, Agi32 layout, Auto CAD layout, Projekt Installation
      Lebensdauer (stunden)
      50000
      Arbeitszeit (stunden)
      50000
      Ausstrahlen von Farbe
      Infrared Laser
      Leuchtende Intensität
      1200
      Lichtstrom (lm)
      1000
      Lichtdämpfung (%)
      1
      Energie
      1W, 3W, 10W
      Energien-Ableitung
      3
      Betrachtungs-Winkel (°)
      10
      Farbwiedergabe-Index (Ra)
      90
      Farben-Temperatur
      850nm
      Betriebstemperatur (℃)
      -30 - 40
      Speichertemperatur (℃)
      20 - 50
      Markenname
      JNJOPTO
      Chip Brand
      Hua Lijie
      Product name
      Night Vision Laser Module
      Application
      Infrared laser night vision telescope
      Voltage
      2.8V-3.5V
      Wavelength
      850nm
      Current
      5A
      Chip Size
      31mil 35mil
      Night vision distance
      500M-700M
      Certification
      RoHS,CE
      Keywords
      Infrared Led Chip

      Verpackung und Lieferung

      Verkaufseinheiten:
      Einzelartikel
      Einzelpackungsgröße:
      15X10X10 cm
      Einzelbruttogewicht:
      0.002 kg
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      Beschaffungszeit

      Menge (Stück)1 - 10001001 - 100000100001 - 10000000 > 10000000
      Vsl. Dauer (Tage)121520Zu verhandeln
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