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高质量金属氧化物半导体场效应晶体管25V 75A至263 PHB108NQ03LT

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Shenzhen Jeking Electronic Corp.实力供应商9 yrsCN

重要属性

行业属性

型号
PHB108NQ03LT
种类
IGBT晶体管
品牌
ORIGINAL BRAND
封装类型
表面贴片封装

其他属性

安装类型
SMD/SMT
描述
标准
原产地
California, United States
封装/外壳
-
D/C
-
品名
-
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
-
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
-
电流 - 集电极截止(最大值)
-
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
-
功率 - 最大值
-
频率 - 跃迁
-
操作温度
-
安装方式
-
电阻器 - 基底(R1)
-
电阻器 - 发射极基底(R2)
-
FET 类型
-
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
-
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
-
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
Vgs(最大值)
-
IGBT 类型
-
配置
-
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
-
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
-
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
-
漏极电流(Id) - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
-
电阻 - RDS(开)
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移(Vt)
-
电流 - 谷值(Iv)
-
电流 - 峰值
-
应用
-
零件号
PHB108NQ03LT
描述
MOSFET N-CH 25V 75A TO263
FET类型
N通道
漏源电压
25V
电流 @ 25 °C
75A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
栅极充电 @ Vgs
16.3nC @ 4.5V
输入电容 @ Vds
2V @ 1mA
功耗 (最大)
187瓦 (Tc)
供应商设备包
TO-263

包装和发货信息

Packaging Details

供应能力

供应能力
88000 件 per Day 标准包装

交货时间

定制

供应商的产品说明

100 - 499 pieces
¥13.66
500 - 999 pieces
¥12.23
>= 1000 pieces
¥11.51

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