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고품질 IGBT 1200V 64A 500W TO264 트랜지스터 FGL40N120AND 전력 모펫 ixfn38n100q2 FGL40N120AND

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주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호
FGL40N120AND
유형
MOSFET
유명 상표
Original
포장 유형
생각 구멍

기타 속성

장착 유형
Standard
설명
Standard
원래 장소
Guangdong, China
패키지/케이스
TO-92
유형
Triode Transistor
작용 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
D/ C
Newest
신청
일반 증폭
공급 유형
원래 제조 업체, 기관
미디어 가능
데이터 시트, 사진
品名
MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
500mA
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
180V
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 5mA, 200mA
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
150 @ 200mA, 5V
전원 최대
1W
주파수-전환
70MHz
작동 온도
-
마운트 유형
구멍
저항 (R1)
-
저항 이미터 (R2)
-
FET 유형
N-Channel
FET 특징
-
드레인 근원 전압 (Vdss)
60V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
500mA (Ta)
Rds (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id
3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
3.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
40pF @ 10V
주파수
-
현재 등급 (암페어)
-
잡음
-
전원 출력
-
전압-정격
-
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
10V
Vgs (최대)
±20V
IGBT 유형
-
구성
-
Vce () (최대) @ Vge, Ic
-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
-
입력
-
NTC 서미스터
-
전압 고장 (V (BR) GSS)
-
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
현재 하수구 (Id)-Max
-
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
-
저항 RDS (On)
-
전압
-
전압-출력
-
전압 오프셋 (Vt)
-
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
-
전류 밸리 (Iv)
-
전류-피크
-
응용프로그램
-
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