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IPP093N06N3GXKSA1 MOSFET N-CH 60V 50A至220新的和原始的晶体管单FETs MOSFET场效应晶体管

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重要属性

行业属性

型号
IPP093N06N3GXKSA1
种类
MOSFET
品牌
Original
封装类型
引脚直插式封装

其他属性

安装类型
通孔
描述
MOSFET n-ch 60v 50A TO220-3
原产地
Original
封装/外壳
TO-220-3
可参考资料
数据表
操作温度
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
安装方式
引脚直插式封装
漏源电压(Vdss)
60 V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
50A (Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
9.3mOhm @ 50A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 34uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
36 nC @ 10 V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2900 pF @ 30 V
功率-输出
71瓦 (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
Vgs(最大值)
± 20V
配置
单排

交货时间

数量 (pieces)1 - 1000 > 1000
美国东部时间(天)7待定

供应商的产品说明

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