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IPP50R399CPHKSA1 MOSFET N-CH 560V 9A TO220 신규 및 오리지널 트랜지스터 싱글 피트 MOSFET 전계 효과 트랜지스터
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
IPP50R399CPHKSA1
유형
MOSFET
유명 상표
Original
포장 유형
생각 구멍
기타 속성
장착 유형
구멍을 통해
설명
MOSFET N-CH 560V 9A TO220-3
원래 장소
Original
패키지/케이스
TO-220-3
미디어 가능
데이터 시트
작동 온도
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
마운트 유형
구멍
드레인 근원 전압 (Vdss)
560 V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Rds (Max) @ Id, Vgs
399mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id
3.5V @ 330uA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
23 nC @ 10 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
890 pF @ 100 V
전원 출력
83W (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
10V
Vgs (최대)
± 20V
구성
단일
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 1000 | > 1000 |
| 예상 시간(일) | 7 | 협의 예정 |
공급업체의 제품 설명
>= 10 개
₩702
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