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IRF100B201 IRF100B201PBF新原装晶体管Mosfet N沟道100V 192A TO-220AB
暂无评价
Shenzhen Ruichenyu Technology Co., Ltd.
2 yrs
CN
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重要属性
行业属性
型号
IRF100B201 IRF100B201PBF
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original brand
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
Standard
描述
Transistor Mosfet N-CH
原产地
China
封装/外壳
Standard
D/C
Newest date code
应用
通用
供应类型
原厂原装, 代理, 零售商
可参考资料
数据表, 照片
品名
N-Channel Transistor
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
Standard
电压 - 集射极击穿(最大值)
Standard
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
Standard
电流 - 集电极截止(最大值)
Standard
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
Standard
功率 - 最大值
Standard
频率 - 跃迁
Standard
操作温度
Standard
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底(R1)
Standard
电阻器 - 发射极基底(R2)
Standard
FET 类型
Standard
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
Standard
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
Standard
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
Standard
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
Standard
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
Standard
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
Standard
响应频率(Hz)
Standard
额定电流
Standard
噪声系数
Standard
功率-输出
Standard
电压-额定
Standard
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
Standard
Vgs(最大值)
Standard
IGBT 类型
Standard
配置
单排
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
Standard
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
Standard
输入
Standard
NTC 热敏电阻
Standard
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
Standard
Part number
IRF100B201 IRF100B201PBF
Date code
Newest date code
Condition
New original factory goods
Warranty
365 days
MOQ
1 pc
包装和发货信息
Packaging Details
新的和原始的标准纸箱包装。
Port
Shenzhen,HongKong,Guangzhou etc
供应能力
供应能力
1000 件 per Day
展开
交货时间
数量 (pieces)
1 - 1500
1501 - 3000
> 3000
美国东部时间(天)
3
5
待定
定制
Customized packaging
最小起订量: 1000
如需了解更多定制细节,
私信供应商
供应商的产品说明
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¥14.43
>= 5 pieces
¥0.7215
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-
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