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IRF7341QTRPBF MOSFET 2N-CH 55V 5.1a 8-SOIC肖特基二极管晶体管
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
IRF7341Q
种类
RF晶体管
品牌
brand new
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
表面贴装
描述
新的和原来的
原产地
taiwan
封装/外壳
8-SOIC
类型
-
工作环境温度
-45 °-+ 85 °
系列
-
D/C
最新
应用
通用
供应类型
原厂原装, ODM, 代理, 零售商, 其他
相似属性可替代料号
-
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。, 其他
品名
集成电路
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
-
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
-
电流 - 集电极截止（最大值）
-
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
-
功率 - 最大值
-
频率 - 跃迁
-
操作温度
-45 °C ~ 85 °C
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 类型
-
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
Vgs（最大值）
-
IGBT 类型
-
配置
单联开关
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
-
类型
场效应晶体管
VDS
55 V
VGS
± 20 V
EAS
140 mJ
IAR
5.1 A
运输方式
DHL \ UPS \ Fedex \ TNT \ EMS \ ARAMEX
提前期
立即发货
条件
品牌Newand Original
付款
Paypal \ TT \ 西联汇款 \ 贸易保证
质量
100% 原创100% 品牌
包装和发货信息
Packaging Details
Origina工厂密封包装 :( 1) 胶带和卷轴 (2) 胶带和盒子 (3) 管和盒子 (4) 托盘和盒子 (5) 袋子如果您想进一步了解我们的包装，请给我们发送电子邮件至包装。
供应能力
供应能力
100000 件 per Week
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 9999 | > 9999 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 待定 |
定制
222
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