描述
MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
-
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
-
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
--
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
--
描述
N沟道200 v 3.7a (Ta) 2.5w (Ta) 表面贴装8-SOIC
装运
DHL \ FEDEX \ UPS \ TNT \ EPACK \ 中国邮政