IRFB3077PBF功率场效应晶体管MOSFET N-CH 75V 120A至220ab集成电路芯片IRFB3077PBF
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重要属性
行业属性
型号
IRFB3077PBF
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original brand from HZWL
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
Through Hole
描述
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-220-3
类型
MOSFET
工作环境温度
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
系列
HEXFET
D/C
新建
应用
电源管理，电池供电驱动器
供应类型
原厂原装, 代理
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。
品名
MOSFET n-ch 75v 120A TO-220AB
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
25A
电压 - 集射极击穿（最大值）
100V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
4V @ 5A, 25A
电流 - 集电极截止（最大值）
1mA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
10 @ 15A, 4V
功率 - 最大值
125瓦
频率 - 跃迁
3MHz
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装方式
引脚直插式封装
FET 类型
N通道
漏源电压（Vdss）
75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
120A (Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
3.3mOhm @ 75A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
220nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
9400pF @ 50V
响应频率(Hz)
3 MHz
功率-输出
370瓦
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
Vgs（最大值）
± 20V
应用
电源管理，全桥，推挽
晶体管类型
MOSFET (金属氧化物)
安装类型
通孔
包装
TO-220-3
付款
Paypal TT
装运方式
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
质量
100% 原创100% 品牌
Whatsapp和微信
8613580501856
Skype
wendyxie110288
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供应商
HZWL
功耗 (最大)
370瓦 (Tc)
包装和发货信息
Packaging Details
IRFB3077PBF功率场效应晶体管MOSFET N-CH 75V 120A至220ab集成电路芯片IRFB3077PBF
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
20X20X5 厘米
单品毛重：
0.030 公斤
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