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IRFB4227PBF晶体管电子元件MOSFET N-CH 200V 65A至220ab集成电路芯片IC IRFB4227PBF
5.0(2 评价)2 笔订单第 #8爆款商品的 用于Mosfet驱动器的晶体管
重要属性
行业属性
型号
IRFB4227PBF
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
Throught Hole
描述
MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
原产地
Original
封装/外壳
TO-220-3
类型
MOSFET晶体管
工作环境温度
-40 °C ~ 175 °C(TJ)
系列
HEXFET
D/C
最新
应用
MOSFET 驱动器
供应类型
原厂原装, 代理, 零售商
相似属性可替代料号
IRFB4227PBF
可参考资料
照片
品名
IRFB4227PBF
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
65A(Tc)
电压 - 集射极击穿（最大值）
标准
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
标准
电流 - 集电极截止（最大值）
标准
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
标准
功率 - 最大值
330W(Tc)
频率 - 跃迁
标准
操作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
标准
电阻器 - 发射极基底（R2）
标准
FET 类型
标准
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
200 V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
65A(Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
24毫欧 @ 46A，10v
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
98 nC @ 10 V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
标准
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
Vgs（最大值）
± 30V
IGBT 类型
标准
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
标准
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
标准
输入
标准
NTC 热敏电阻
标准
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
标准
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
标准
漏极电流（Id） - 最大值
标准
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
标准
电阻 - RDS（开）
标准
电压
标准
电压-输出
标准
电压 - 偏移（Vt）
标准
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
标准
电流 - 谷值（Iv）
标准
电流 - 峰值
标准
应用
标准
晶体管类型
MOSFET
产品名称
IRFB4227PBF
质量
100% 新100% 原
样品
支持
服务
一站式Bom清单服务
付款
TT \ \ Paypal \ 西联汇款 \ 贸易保证
装运方式
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ TNT \ Aramex
包装和发货信息
Packaging Details
标准包装
Port
SHENZHEN/ HONGKONG
供应能力
供应能力
100000 件 per Week
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 待定 |
定制
外包裝定制
最小起订量: 100000
LOGO定制
最小起订量: 100000
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