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      IRFB4332PBF Transistores Canal N 250 V 60A (Tc) 390W (Tc) Transistor SMD de orificio pasante MOSFET de POTENCIA DE 2 A 30 V

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      Yunfu Hongkong Electronics Co.,Ltd.2 yrsCN

      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      IRFB4332PBF
      Tipo
      MOSFET
      Marca
      Original Brand
      Tipo de paquete
      TO-220-3

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      A través del agujero
      Descripción
      N-CH MOSFET 250V 60A TO220AB
      Lugar del origen
      Original
      PAQUETE/cubierta
      TO-220-3
      Tipo
      Canal N
      Temperatura de funcionamiento
      -40 °C ~ 175 °C (TJ)
      Serie
      Transistores-FET y MOSFETs - Single
      d/c
      Más reciente
      Uso
      Propósito General
      Tipo de Proveedor
      Minorista
      Referencia cruzada
      IFEINFIRFB4332PBF
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD
      品名
      Transistores
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      60A
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      250V
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      Estándar original
      Corriente de colector de corte (Max)
      60A
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      Estándar original
      Poder-Max
      390W(Tc)
      -Frecuencia de transición
      Estándar original
      Temperatura de funcionamiento
      -40 °C ~ 175 °C(TJ)
      Tipo de Montaje
      A través del orificio
      Resistencia Base (R1)
      Estándar original
      Resistencia-emisor Base (R2)
      Estándar original
      FET tipo
      Canal N
      FET característica
      Estándar
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      250V
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      60A(Tc)
      Rds (Max) @ Id Vgs
      33mOhm @ 35A, 10V
      Vgs (th) (Max) @ Id
      5V @ 250uA
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      150 nC @ 10 V
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      5860 pF @ 25 V
      Frecuencia
      Estándar original
      Corriente nominal (en amperios)
      60A
      Ruido
      Estándar original
      Potencia de salida
      Estándar original
      -Tensión nominal
      30V
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      10V
      Vgs (Max)
      ± 30V
      Tipo IGBT de
      Estándar original
      Configuración
      Solo
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      Estándar original
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      Estándar original
      De entrada
      Estándar original
      Termistor NTC
      Estándar original
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      30V
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      60A
      Corriente de drenaje (Id).
      Estándar original
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      Estándar original
      Resistencia-On (RDS)
      Estándar original
      Tensión
      30V
      Tensión de salida-salida
      30V
      -Tensión Offset (Vt)
      30V
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      60A
      Corriente de Valle Iv)
      60V
      Corriente de pico
      60A
      Aplicaciones
      Propósito general
      Tipo de Transistor
      Canal N
      Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
      5860 pF @ 25 V
      Paquete estándar
      50PCS/tubo
      Número de canales
      1 canal
      Transconductancia hacia adelante-Min
      100 S
      Categoría del producto
      MOSFET de potencia
      PCB cambiado
      3
      Recuento de Pin
      3
      Forma de plomo
      A través del agujero
      Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
      1 (Ilimitado)
      Estado de RoHS
      ROHS3 obediente

      Embalaje y entrega

      Unidades de venta:
      Un solo artículo
      Tamaño de paquete único:
      19X19X10 cm
      Peso bruto único:
      1.000 kg
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      Hora del Est.(días)15Para negociar
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