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IRG4BC30W IGBT 600V 23A 100W TO220AB TO-220AB

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重要属性

行业属性

型号
IRG4BC30W
种类
IGBT晶体管
品牌
original
封装类型
TO-220-3

其他属性

安装类型
Through Hole
描述
IGBT 600V 23A 100W TO220AB
原产地
Mexico
封装/外壳
TO-220AB
工作环境温度
-40~170℃
D/C
NEW
应用
MOSFET 驱动器
供应类型
原厂原装
可参考资料
数据表
品名
IGBT
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
N/A
电压 - 集射极击穿(最大值)
N/A
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
N/A
电流 - 集电极截止(最大值)
N/A
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
N/A
功率 - 最大值
N/A
频率 - 跃迁
N/A
操作温度
-55~170℃
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底(R1)
N/A
电阻器 - 发射极基底(R2)
N/A
FET 类型
N/A
FET 功能
N/A
漏源电压(Vdss)
600 V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
23 A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
N/A
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
N/A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
N/A
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
N/A
响应频率(Hz)
N/A
额定电流
N/A
噪声系数
N/A
功率-输出
100 W
电压-额定
N/A
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
92 A
Vgs(最大值)
N/A
IGBT 类型
N/A
配置
单排
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
N/A
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
N/A
输入
N/A
NTC 热敏电阻
N/A
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
N/A
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
N/A
漏极电流(Id) - 最大值
N/A
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
N/A
电阻 - RDS(开)
N/A
电压
N/A
电压-输出
N/A
电压 - 偏移(Vt)
N/A
电流 - 栅极至阳极漏(Igao)
N/A
电流 - 谷值(Iv)
N/A
电流 - 峰值
N/A
应用
N/A
晶体管类型
N/A

包装和发货信息

销售单位:
单一商品
单品包装尺寸:
22X22X5 厘米
单品毛重:
1.000 公斤

交货时间

数量 (pieces)1 - 12 - 10001001 - 10000 > 10000
美国东部时间(天)111待定
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样品价格:
¥72.10/pieces

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外包裝定制
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1000 - 9999 pieces
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