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IXGR40N60B2分立半导体产品晶体管-igbt IXGR40N60B2
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
IXGR40N60B2
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original
封装类型
Through Hole
其他属性
原产地
Original
封装/外壳
TO-247-3
D/C
新的
应用
Mosfet晶体管
可参考资料
数据表
品名
IXGR40N60B2
操作温度
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
安装方式
引脚直插式封装
漏源电压（Vdss）
600 V
Vgs（最大值）
N/A
IGBT 类型
N/A
配置
N/A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
N/A
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
N/A
输入
N/A
NTC 热敏电阻
N/A
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
N/A
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
N/A
漏极电流（Id） - 最大值
N/A
应用
-
品牌
原
备货期
3-5day
送货地址
深圳
包装和发货信息
Packaging Details
全新和原装，工厂密封包装，将包装在以下包装类型之一: 管，托盘，胶带和卷轴，胶带和盒子，散装包装，袋子等。请与我们联系以获取更多详细信息。
Port
Shenzhen
供应能力
供应能力
10000 件 per Week
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 待定 |
定制
PCBA
最小起订量: 1
SMT
最小起订量: 1
如需了解更多定制细节， 私信供应商
